射频器件研发工程师
by 苏州华太电子技术股份有限公司
Internship Period
1 August - 31 December 2023
1 August - 31 December 2023
Industry
R&D
R&D
Education Level(s)
Polytechnic, University, Young Working Adults
Polytechnic, University, Young Working Adults
Location
Suzhou, Jiangsu
Suzhou, Jiangsu
No. of Opening(s)
2
2
Stipend
SGD 500-800
SGD 500-800
Apply by
30 June 2023
30 June 2023
Job Description
负责LDMOS器件结构设计、TCAD仿真、版图设计、新工艺开发设计；
负责LDMOS器件产品设计，产品项目流片管理；
负责GaN 器件设计、TCAD仿真、版图设计，相关产品设计和流片管理。
Internship Requirements
扎实的固体物理、半导体器件物理基础；
扎实的半导体器件物理基础；
了解半导体加工工艺；
会使用仿真软件、会使用版图软件。
Other Benefits and Welfare
提供餐补。
About the Company
苏州华太电子技术股份有限公司（简称：华太），成立于2010年3月16日，是集半导体器件与工艺开发、芯片设计、芯片封装、材料研发和制造为一体的高新科技企业，以射频芯片和功率芯片业务为主航道，是国际领先的射频功放器件和功率半导体器件供应商，聚焦万物互联和数字能源两大应用领域。
